半導体の物性評価とデバイス応用
研究概要
1.窒化ガリウム(GaN)の光・電気特性評価
・ フォトルミネッセンス法と電気特性評価によるGaN中不純物濃度定量評価
・ イオン注入GaNの活性化アニールによる結晶性と活性化率の評価
・ GaN-MOSFETのホール効果測定による反転層伝導特性評価
2.GaNを用いたパワーデバイスの開発
・ ショットキーダイオードおよびpnダイオードの作製と評価
・ 縦型パワートランジスタの作製と評価
3.超高性能赤外光センサーに関する研究
・ 量子ナノ構造を用いた超高感度赤外光センサーの開発
・ 新構造赤外光イメージセンサの開発
アピールポイント（技術・特許・ノウハウ等）
・ 各種半導体材料のフォトルミネッセンス法による評価技術
・ 各種半導体材料のホール効果測定等による評価技術
・ GaNへのイオン注入とその活性化技術
・ 半導体量子ナノ構造の作製・評価技術
応用可能な分野
<パワーデバイス>
自動車,ロボット,太陽光発電,通信機器などに使用される電力変換装置
<赤外光センサー>
自動運転,半導体や食品などの製造ライン検査,医療,防犯